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高灵敏度MEMS压力传感器

  专利名称

  高灵敏度MEMS压力传感器

  

 

  专利简介

  本文研制了一种以多晶硅纳米薄膜为力敏电阻的表面微机械压阻式压力传感器芯片,该传感器芯片以硅为衬底,一个多晶硅膜片与衬底构成真空腔,密封的刻蚀孔排列在膜片四周,膜片上的四个力敏电阻用金属连接构成惠斯通电桥,将压力转换为电压输出。

  技术优势

  本文核心技术是表面微机械结构设计和制备方法。量程为2.5MPa的传感器样片测试结果表明:在25℃,5V电压源供电的满量程输出为362mV,非线性为0.21% FS,重复性为0.22% FS,迟滞为0.22% FS,过载压力为18MPa;在-55℃~150℃范围内,热零点漂移为﹣0.01%FS/℃,热灵敏度漂移为﹣0.1% FS/℃。与当前著名传感器企业生产的相近量程硅基压力传感器比较,研制的传感器具有体积小、满量程输出高和过载能力强的优点。具体地说,试制传感器样品实现了满量程输出扩大3倍以上,且具有良好的线性性能;试制传感器实现了过载能力是满量程的7倍以上,与典型的2~5倍满量程过载能力相比,过载能力明显提高。

  转让方式

  产权转让出售;

  继续合作研发;

  新产品开发;

  技术咨询

  预期售价

  面议

  关键词

  表面微机械;多晶硅纳米薄膜;压力传感器

  应用渠道

  该产品适合与传感器制造企业合作研制和生产。该产品由于体积小、灵敏度高和过载能力强,可应用于智能电子产品中,如:机器人、智能手表、手机和家用电器。

  推广意义

  该产品可以部分替代国内现在主流压力传感器产品,达到国外先进传感器应用水平。降低成本、提高传感器集成化。

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